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一、全球記憶體產業發展概況

2007年全球記憶體市場受到最大比重DRAM供過於求的影響，市場表現不如預期，使得記憶體整體產值為591億美元，較2006年衰退3%，與2006年成長22%的表現形成顯著的落差。2007年全球NAND Flash市場較2006年成長了15%，達到155億美元，成為穩住全球記憶體產值的重要力量。而記憶體產值比重最高的DRAM市場則一反2006年大幅成長36%的亮麗表現，2007年產值衰退7%，產值為319億美元。

預估2008年DRAM市場為284億美元，衰退11%，NAND Flash可望受惠於可攜式產品對儲存影音資料需求的增加，而將持續成長15%，市場達178億美元。

表一　2002~2008年全球記憶體市場規模

二、全球DRAM四大陣營

在全球DRAM廠商的表現方面，前8大廠商合計占了2007年全球DRAM銷售比重的97%。追蹤這八家公司的表現及競爭情勢能很大程度的掌握了全球DRAM產業的市場面貌。2007年DRAM產業受到對微軟新版作業系統的過度預期，以及廠商之間競爭情勢的嚴峻，使得DRAM市場出現供過於求的情況，DRAM價格的跌幅過大，抵銷了出貨量的成長。

2008年全球DRAM市場占有率的變動，台灣廠商發揮了重要的影響力。全球五大廠商中只有Samsung及Micron沒有和台灣的DRAM廠商合作，而採獨立產能發展策略(2008年3月Micron已與台灣的南亞科技結盟)。因此，在無台灣具有高度成本效益的12吋晶圓廠產能挹注，而使其在DRAM市場占有率上呈現明顯下滑的局面。從全球主要DRAM廠商策略聯盟的角度看市場占有率，更能突顯全球DRAM產業版圖及影響力的變化，南韓的Samsung仍以自身的力量穩居全球第一大約佔30%；Hynix與茂德的合計約佔20%；Micron與南亞科及華亞科等合計約佔20%；Elpida與力晶及瑞晶合計約佔20%，呈現DRAM四大陣營。

表二　全球DRAM四大陣營

三、 NAND Flash市場發展最受矚目

主要記憶體產品中，2007年仍以DRAM的產值占最大比重，其次為Flash，第三大則是SRAM，但與前兩大的差距甚遠。預估2010年DRAM仍然是記憶體產品的最大宗，重要性不可取代。但Flash的產值比重則快速提升，成為最具有成長性的記憶體產品，SRAM則呈現持平的狀態。

而Flash產品中又可分為NOR Flash及NAND Flash兩類。其中以NAND Flash市場的發展最受矚目，2007年在各記憶體產品疲軟之際，Flash市場卻一枝獨秀的呈現高成長的態勢，不僅優於DRAM衰退7%，以及NOR Flash衰退8%的表現，也優於全球記憶體市場衰退3%的表現。這主要是受惠於蘋果電腦iPod nano、以及數位相機、手機等各類手持行動裝置對NAND Flash記憶容量需求的大幅成長。NAND Flash市場雖然在2006年的表現不如以往的高度成長態勢，並較DRAM來得遜色，但2007年則呈現一枝獨秀的表現，大幅成長15%，達到155億美元。整體而言，隨著手持行動裝置對資料儲存的需求量快速提升，將帶動NAND Flash市場的快速成長，這使得NAND Flash產值與NOR Flash產值的差距逐漸拉大。

2007年前五大NAND Flash廠商合計市場占有率高達95%，顯示NAND Flash產業的廠商集中度相當高。其中前三大廠商Samsung、Toshiba、及Hynix在2007年的合計市場占有率高達85%，略低於2006年的89%，主要受到Micron及Intel的競爭所影響，但仍持續成為主導全球NAND Flash市場的關鍵力量。第一大廠商仍為南韓的記憶體大廠Samsung，但市場占有率已從2006年的46.1%，下滑至2007年的40.9%。顯見NAND Flash的市場占有率競爭呈現白熱化的階段，主要是受到南韓另一家記憶體大廠Hynix以及美國Micron及Intel大力擴充產能所致。展望2008年，整個NAND Flash市場仍將呈現南韓的Samsung、Hynix，日本的Toshiba、以及美國Intel與Micron合資的IM Flash公司四強競爭的局面。

整體而言，DRAM及NAND Flash仍是市場矚目的焦點。由於南韓的Samsung及Hynix兩家公司均位居全球DRAM與NAND Flash市場的前三大，使得同時具有NAND Flash及DRAM生產能力的Samsung與Hynix等廠商可依市場供需情形將DRAM的產能與NAND Flash產能適時調撥，有利於記憶體產業供需的平衡與策略佈局。