於半導體製造中，主要可分為鍍膜、微影、蝕刻、離子佈植、氧化擴散等製程，其中，蝕刻製程又可分為乾蝕刻與濕蝕刻。乾蝕刻主要與微影製程搭配，先透過微影技術定義光阻位置與結構，選定出蝕刻區域後，再利用化學反應或物理轟擊的方式，將蝕刻區域去除，保留下來的區域即為想獲得的結構，屬於定義出電路圖形的一關鍵製程，其被廣泛應用於介電層蝕刻、多晶矽蝕刻、金屬蝕刻、光阻去除…等，而濕蝕刻則主要用於晶圓的清潔或去除氧化層...
一、乾蝕刻製程之重要性與其設備市場現況
二、Lam乾蝕刻設備市場與技術布局
三、結論
圖1 3D NAND新世代產品之複雜度、開發時間、成本逐漸增加
圖2 Lam乾蝕刻設備具高度智慧化
圖3 電漿蝕刻設備因晶片邊緣效應導致CD漂移現象
圖4 Lam透過Corvus技術改善晶片邊緣良率
表1 Lam乾蝕刻設備產品與其應用領域彙整表