本文所提到的未來新興記憶體，以相變化記憶體(OUM)、鐵電記憶體(FeRAM)及磁阻記憶體(MRAM)為主，此專利分析是以美國專利商標局(U.S. Patent and Trademark Office；USPTO)之專利資料庫，利用Patent Pilot 1.3專利分析軟體以上述技術相關之關鍵字作為檢索條件，針對名稱(Title)及摘要(Abstract)欄位進行線上專利收集，其資料範圍取至2...
若有任何問題，可使用下方檢索互動介面找解答，或是寫信到客服信箱。
星期一~五 9:00-12:30/13:30-18:00