高階晶片的封裝技術是今日推動半導體晶片產品持續進步的關鍵。先進封裝技術通過晶片堆疊提升訊號傳輸密度和縮短傳遞距離,以提高晶片性能,滿足大規模資料中心的需求。隨著AI技術的興起,網通設備、雲端伺服器、邊緣運算等市場將顯著成長,推動各類晶片和封裝材料的銷售。其中,晶片堆疊、2.5D封裝和3D封裝是主要技術。2.5D封裝使用中介層連接多晶片,台積電的CoWoS技術是此領域的代表,2024年供應量能持續增加。其中CoWoS-R技術使用有機中介層,以應對更大封裝尺寸和I/O連接需求,亦具價格優勢。
此外,晶片構裝材料的性能發展同樣重要,如降低介電損耗以適應高頻應用,改進填料配方和新型樹脂使用等。如於Flip Chip封裝中,材料需減少翹曲影響;於RDL介電材料,未來低溫固化和更低介電損耗的產品需求將增加等,皆是材料不斷研發以支援高速運算晶片需求的表現。
一、前言
二、先進封裝技術概要
三、全球半導體構裝材料市場趨勢
四、先進封裝之增層材料與RDL介電材料發展趨勢
五、結論
圖1 Schematic cross-section of the CoWoS assembly of an organic interposer versus a silicon interposer
圖2 2021~2025年全球半導體構裝材料產值趨勢 (單位:百萬美元)