乾式電漿蝕刻技術，蝕刻氣體以氫氟化物(F)與氯化物(Cl)為主。氟多用於介電材料蝕刻，配合碳氫化合物(C、H)搭配以形成乾式蝕刻反應來源。關鍵模組包含電漿蝕刻模組、RF Generator、電子吸附載盤(ESC；E-chuck)、冷卻循環設備(Chiller)。搭配電漿系統可使氣體游離化，增加蝕刻效果。RF Generator提供異方向性蝕刻與轟擊效果，可達到準直的蝕刻結果，此部分是半導體製程線寬縮小至奈米級(nm)之後，濕式蝕刻製程極難達成的品質標準。ESC可在電漿蝕刻時，提供吸附；He Gas System則能快速降低電漿攻擊所產生的高溫。
一、國內半導體蝕刻及設備技術介紹
二、國內半導體蝕刻設備供應鏈現況
三、結論