隨著電子應用產品與電子設備的發展，負責進行電力轉換與控制的功率電晶體技術已由第一代的雙極性電晶體(Bipolar Transistor)、第二代的金氧半場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor；MOSFET)，發展至現今的絕緣柵雙極型電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor；IGBT)技術。而由於IGBT同時具備BJT與MOSET元件之優點，其易於驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高等特性，目前廣泛應用於小體積、高效率的變頻電源、電機調速、不斷電電源供應以及逆變焊機中，對於目前....