在所有半導體製程設備中，微影設備是決定半導體製程線寬(技術節點)最主要的因素，佔有整體設備成本的比例也最高。目前半導體量產製程所採用最先進的微影技術是由台灣積體電路公司(TSMC)林本堅博士在2002年所設計的浸潤式氟化氬193奈米(Immersion ArF 193nm, ArFi)微影技術，初始的氟化氬193奈米微影技術是利用波長193nm的ArF雷射作為曝光光源，因為考慮光源的散射效應，製作越小的曝光圖案就必須使用波長越短的光源，以波長193nm的氟化氬光源來說，能夠達到的曝光圖案最小線寬的極限是65奈米；浸潤式氟化氬193奈米微影技術，則是在....