韓國Samsung在相變化記憶體(Phase Change Memory；PCM)的發表雖然較晚，但近年來在ISSCC和 VLSI此等重量級期刊有突破性的發表，其中於2004年在ISSCC發表用180nm CMOS技術試產64Mb晶片，且在2005年VLSI Technology國際會議上發表用100nm CMOS技術試產256Mb晶片，其在容量上的發展遠勝過其它競爭廠商。...
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