2012年5月,功率半導體大廠NXP Semiconductor宣布與新加坡科學與技術研究機構A*STAR的微電子研究院(Institute of Microelectronics;IME)共同投入200mm的GaN-on-Si功率半導體製程與技術開發。計畫目標希望能開發出高能源效率的先進高功率元件,以符合未來電腦、通訊、航太與汽車應用之所需....
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