隨著全球對電動車、5G等產品的需求成長，近年來越來越多業者投入碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等化合物半導體的生產。為了製造前述這些高效能的晶片，業者多需取得高品質的碳化矽晶圓基板。這些基板係在完成碳化矽長晶後，對晶錠進行加工流程後所製成。而碳化矽晶圓加工製程主要又可分為切割、研磨、拋光、清洗、檢測等。待晶圓製作完成後，將再進行磊晶製程，於晶圓基板表層沉積一層高品質結晶，以達到強化晶片工作效能的目標。
不過因碳化矽具有高硬度的特性，其硬度僅次於鑽石與碳化硼，故加工極為困難。再加上碳化矽的高脆性與低斷裂韌性，使材料在加工過程中易發生脆性斷裂，進而在材料表面留下破碎層，或產生更嚴重的表面與亞表面損傷，影響後續的加工精確度，這也是目前業者所面臨的重大挑戰。
一、碳化矽晶圓加工製程技術概要
二、國內外設備商發展概況
三、結語
圖1 KABRA! Zen設備
圖2 Mirra® Durum™ CMP系統
圖3 8930系列晶圓檢測系統
圖4 Aixtron G10‑GaN
圖5 RIBER MBE 8000
圖6 GC-200雷射加工設備
圖7 漢民MOCVD設備
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