半導體發展隨著摩爾定律(Moore’s Law)的演進，慢慢地遭遇到瓶頸，目前的瓶頸卡在黃光製程的微影設備上；目前曝光技術的主流是採用193nm波長的浸潤式曝光(Immersion)製程，在32/28奈米製程節點上，為了達到線寬微縮的要求，必須使用雙重曝光(Double-Patterning)的技術，其製造流程如圖所示....
一、前言
二、微影設備市場需求
三、發展EUV設備的必要性
四、結語
圖1 雙重曝光製造流程
圖2 黃光微影設備支出佔設備總支出比例
圖3 使用雙重曝光技術與EUV所需之製程設備與佔用空間比較