三維積體電路的優勢即為高密度立體封裝，為了達到這個目標我們會將許多層晶片互相堆疊，而半導體業常使用的8吋晶圓厚度約700微米，若將如此厚的晶片堆疊在一起是沒必要的且意味著TSV深度必須到達此厚度，因此我們需要磨薄製程來降低堆疊晶片的厚度、增加晶片密度......
一、前言
二、晶圓薄化方式
三、結論
圖1 先穿孔製程所使用的CMP
圖2 後穿孔製程所使用的CMP
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