半導體微影製程依使用光源的不同，可區分為紫外線(UV)、深紫外線(Deep UV, DUV)和超紫外線 (Extreme UV, EUV)三種，而相對應和紫外線搭配的為g-line (436nm)和i-line(365nm)光阻，主要用於180奈米之前的製程；和深紫外線(DUV)搭配的為KrF(248nm)與ArF(193nm)光阻，KrF光阻主要應用於180~130奈米的製程，ArF光阻則主要應用於130~30奈米的製程；超紫外線(EUV)光阻為目前產業正研發中之下世代光阻技術，主要將使用於22奈米以下的製程。
2009年半導體光阻市場總值為....