高頻通訊功率元件產業，將邁向化合物半導體例如氮化鎵(GaN)的功率元器件新里程，由於氮化鎵(GaN)能發揮高速工作的優勢，首先會從替換現有矽基的元器件以更有利的高附加值應用方面來開始普及，然後再從高耐壓高輸出功率的應用更擴大其替代範圍。在電壓規格方面，耐壓為600V或以上至1.2kV的應用預計將採用GaN器件。GaN器件適合橫式(非立式)結構，可應用於GaAs HEMT等能夠發揮高速開關優勢的用途。電路頻率升高後，原來在電源電路中佔較大空間的變壓器就可以隨之縮小，使整個電源電路趨於小型化。因此有助於實現個人電腦、手機、伺服器電源的小型化和低功耗化。
一、歐洲龍頭企業首推氮化鎵(GaN)功率電晶體應用於5G無線基礎設施
二、日本企業也已推出基地台用的氮化鎵(GaN)電晶體
三、結論