在諸多前瞻記憶體的研發中，相變化記憶體顯得非常耀眼，因為在2000年後相變化材料製作的半導體記憶體，無論是在專利佈局、晶片試產及學術論文上均有優異的表現，又因韓國Samsung在2005年VLSI Technology國際會議上發表用100nm CMOS技術試產256Mb晶片，此突破性的成果顯示PCM未來有取代主流記憶體市場的潛力。...
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