從半導體技術發展趨勢看記憶體新世代的來臨(同10/07高雄場分享會簡報)

隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等發展趨勢下，促使半導體技術朝兩大方向發展，一是製程技術依照摩爾定律(Moore’s Law)不斷微縮(More Moore)，IC產品每隔1.5年左右製程微縮技術就會進入下一個世代，使得在相同面積下可容納的電晶體數目倍增；二是高度半導體元件整合(More Than Moore)，就是IC將整合不同功能、甚至是異質的元件(例如Logic、Analog、HV Power、Sensors、Biochips等)，達到系統層級的目標。 目前半導體的發展除了製程微縮技術之外，例如DRAM進入4xnm以及NAND Flash進入3xnm，還有SoC、SiP、以及3D IC立體封裝等重要技術，而這些技術的發展涉及半導體產業上下游的資源投入與整合，將可能使半導體產業生態發生重大變革。 主流記憶體DRAM及Flash在2xnm以下將逐漸遇到製程微縮的挑戰與瓶頸，而新世代記憶體的發展將可突破此限制，從不同的材料與設計著手，並將取代目前主流記憶體，集優點於一身。 美日韓等各國均積極投入新世代記憶體的研發，台灣若無法掌握新世代記憶體，未來將可能被迫退出每年800億美元的記憶體市場。新世代記憶體的戰爭已經開打，台灣不可缺席，應及早擬訂戰略，開創台灣記憶體產業的新天新地。