化合物半導體技術正隨著高功率與高效率應用需求的快速提升而加速發展，化合物半 導體正逐步成為新世代電力電子系統的關鍵核心技術。相較於傳統矽基半導體，碳化矽 (Silicon Carbide, SiC)與氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)具備寬能隙、高崩潰電壓、高切換頻
率、低導通損耗及耐高溫等半導體材料優勢，能有效提升能源轉換效率與系統功率密度， 已廣泛應用於電動車(Electric Vehicle, EV)、充電樁、再生能源、工業電源及AI資料中心等
高功率場域。
一、功率晶片嵌入式整合封裝技術
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