化合物半導體主要應用為光學元件、高頻與高功率元件，如：AI伺服器光纖通訊的紅 外線收發裝置及手機、基地台通訊的射頻功率放大器等，在五大信賴產業（半導體、AI、 軍工、安控、次世代通訊）中扮演不可或缺的角色。隨著應用的需求朝向高電壓轉移，具 有寬能隙(Wide Band Gap, WBG)與高崩潰電壓(Breakdown Voltage)的化合物半導體材料 變得十分關鍵，其中碳化矽(Silicon Carbide, SiC)與氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)為業界關 注的核心。尤其是碳化矽材料由於還具有優異的熱傳導性質，其所製作成的功率二極體或 電晶體，在電子元件應用中具有快速切換、耐高溫及耐高電壓的功能，是高頻、高功率及 高散熱需求應用的理想選擇。